STU7N60M2
Баға мен қорғасын уақытын сұраңыз
STU7N60M2 қол жетімді, біз STU7N60M2 жеткізе аламыз, сұраныстың дәйексөз формасын пайдаланып, STU7N60M2 пирингін сұраймыз және уақытты жеткіземіз.Atosn.com кәсіби электронды компоненттердің дистрибьюторы. Бізде үлкен тауарлық-материалдық құндылықтар бар және тез жеткізе аламыз, бүгін бізбен хабарласыңыз, сату өкілі сізге баға мен жеткізілім бөлшектерін # STU7N60M2 бөлімінде ұсынады. Сіздің елге сәйкес келетін кедендік рәсімдеу мәселелерін қосыңыз, бізде кәсіби сату тобы баржәне техникалық топ, біз сіздермен жұмыс істеуге асығамыз.
Баға ұсыныстарын сұрау
Өнім параметрлері
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Макс)
- ±25V
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Жеткізуші құрылғысының бумасы
- I-PAK
- Серия
- MDmesh™ II Plus
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 950 mOhm @ 2.5A, 10V
- Қуатты ажырату (макс.)
- 60W (Tc)
- Қаптама
- Tube
- Пакет / корпус
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Басқа атаулар
- 497-13979-5
STU7N60M2-ND
- Жұмыс температурасы
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Түрін орнату
- Through Hole
- Ылғал сезімталдығының деңгейі (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Бос мәртебесі / RoHS мәртебесі
- Lead free / RoHS Compliant
- Кіру сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds
- 271pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 8.8nC @ 10V
- FET түрі
- N-Channel
- FET функциясы
- -
- Жетек кернеуі (Макс. Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Сигнал көзіне кернеу (Vdss)
- 600V
- Толық сипаттамасы
- N-Channel 600V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
- Ағымдағы - Үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C
- 5A (Tc)
Ұқсас өнімдер
- STMicroelectronics STU7N60M2
- STU7N60M2 деректер парағы
- STU7N60M2 деректер кестесі
- STU7N60M2 pdf деректер кестесі
- STU7N60M2 деректер кестесін жүктеңіз
- STU7N60M2 кескіні
- STU7N60M2 бөлігі
- ST STU7N60M2
- STMicroelectronics STU7N60M2