STI13NM60N
Баға мен қорғасын уақытын сұраңыз
STI13NM60N қол жетімді, біз STI13NM60N жеткізе аламыз, сұраныстың дәйексөз формасын пайдаланып, STI13NM60N пирингін сұраймыз және уақытты жеткіземіз.Atosn.com кәсіби электронды компоненттердің дистрибьюторы. Бізде үлкен тауарлық-материалдық құндылықтар бар және тез жеткізе аламыз, бүгін бізбен хабарласыңыз, сату өкілі сізге баға мен жеткізілім бөлшектерін # STI13NM60N бөлімінде ұсынады. Сіздің елге сәйкес келетін кедендік рәсімдеу мәселелерін қосыңыз, бізде кәсіби сату тобы баржәне техникалық топ, біз сіздермен жұмыс істеуге асығамыз.
Баға ұсыныстарын сұрау
Өнім параметрлері
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Макс)
- ±25V
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Жеткізуші құрылғысының бумасы
- I2PAK
- Серия
- MDmesh™ II
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 360 mOhm @ 5.5A, 10V
- Қуатты ажырату (макс.)
- 90W (Tc)
- Қаптама
- Tube
- Пакет / корпус
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Басқа атаулар
- 497-12258
- Жұмыс температурасы
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Түрін орнату
- Through Hole
- Ылғал сезімталдығының деңгейі (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Бос мәртебесі / RoHS мәртебесі
- Lead free / RoHS Compliant
- Кіру сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds
- 790pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 30nC @ 10V
- FET түрі
- N-Channel
- FET функциясы
- -
- Жетек кернеуі (Макс. Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Сигнал көзіне кернеу (Vdss)
- 600V
- Толық сипаттамасы
- N-Channel 600V 11A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
- Ағымдағы - Үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C
- 11A (Tc)
Ұқсас өнімдер
- STMicroelectronics STI13NM60N
- STI13NM60N деректер парағы
- STI13NM60N деректер кестесі
- STI13NM60N pdf деректер кестесі
- STI13NM60N деректер кестесін жүктеңіз
- STI13NM60N кескіні
- STI13NM60N бөлігі
- ST STI13NM60N
- STMicroelectronics STI13NM60N