Үй > Өнімдер > Дискретті жартылай өткізгіш өнімдері > Транзисторлар - FETs, MOSFETs - Single > STD10NM65N
STD10NM65N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
Қорғауға жарамсыз / RoHS сәйкес келеді
Баға мен қорғасын уақытын сұраңыз
STD10NM65N қол жетімді, біз STD10NM65N жеткізе аламыз, сұраныстың дәйексөз формасын пайдаланып, STD10NM65N пирингін сұраймыз және уақытты жеткіземіз.Atosn.com кәсіби электронды компоненттердің дистрибьюторы. Бізде үлкен тауарлық-материалдық құндылықтар бар және тез жеткізе аламыз, бүгін бізбен хабарласыңыз, сату өкілі сізге баға мен жеткізілім бөлшектерін # STD10NM65N бөлімінде ұсынады. Сіздің елге сәйкес келетін кедендік рәсімдеу мәселелерін қосыңыз, бізде кәсіби сату тобы баржәне техникалық топ, біз сіздермен жұмыс істеуге асығамыз.
Баға ұсыныстарын сұрау
Өнім параметрлері
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Макс)
- ±25V
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Жеткізуші құрылғысының бумасы
- DPAK
- Серия
- MDmesh™ II
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 480 mOhm @ 4.5A, 10V
- Қуатты ажырату (макс.)
- 90W (Tc)
- Қаптама
- Cut Tape (CT)
- Пакет / корпус
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Басқа атаулар
- 497-7957-1
- Жұмыс температурасы
- 150°C (TJ)
- Түрін орнату
- Surface Mount
- Ылғал сезімталдығының деңгейі (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Бос мәртебесі / RoHS мәртебесі
- Lead free / RoHS Compliant
- Кіру сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds
- 850pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 25nC @ 10V
- FET түрі
- N-Channel
- FET функциясы
- -
- Жетек кернеуі (Макс. Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Сигнал көзіне кернеу (Vdss)
- 650V
- Толық сипаттамасы
- N-Channel 650V 9A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK
- Ағымдағы - Үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C
- 9A (Tc)
Ұқсас өнімдер
- STMicroelectronics STD10NM65N
- STD10NM65N деректер парағы
- STD10NM65N деректер кестесі
- STD10NM65N pdf деректер кестесі
- STD10NM65N деректер кестесін жүктеңіз
- STD10NM65N кескіні
- STD10NM65N бөлігі
- ST STD10NM65N
- STMicroelectronics STD10NM65N