Үй > Өнімдер > Дискретті жартылай өткізгіш өнімдері > Транзисторлар - FETs, MOSFETs - Single > 2N7000
2N7000
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 350MA TO-92
Қорғауға жарамсыз / RoHS сәйкес келеді
Баға мен қорғасын уақытын сұраңыз
2N7000 қол жетімді, біз 2N7000 жеткізе аламыз, сұраныстың дәйексөз формасын пайдаланып, 2N7000 пирингін сұраймыз және уақытты жеткіземіз.Atosn.com кәсіби электронды компоненттердің дистрибьюторы. Бізде үлкен тауарлық-материалдық құндылықтар бар және тез жеткізе аламыз, бүгін бізбен хабарласыңыз, сату өкілі сізге баға мен жеткізілім бөлшектерін # 2N7000 бөлімінде ұсынады. Сіздің елге сәйкес келетін кедендік рәсімдеу мәселелерін қосыңыз, бізде кәсіби сату тобы баржәне техникалық топ, біз сіздермен жұмыс істеуге асығамыз.
Баға ұсыныстарын сұрау
Өнім параметрлері
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Vgs (Макс)
- ±18V
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Жеткізуші құрылғысының бумасы
- TO-92-3
- Серия
- STripFET™
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 5 Ohm @ 500mA, 10V
- Қуатты ажырату (макс.)
- 1W (Tc)
- Қаптама
- Bulk
- Пакет / корпус
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Басқа атаулар
- 497-3110
- Жұмыс температурасы
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Түрін орнату
- Through Hole
- Ылғал сезімталдығының деңгейі (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Бос мәртебесі / RoHS мәртебесі
- Lead free / RoHS Compliant
- Кіру сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds
- 43pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 2nC @ 5V
- FET түрі
- N-Channel
- FET функциясы
- -
- Жетек кернеуі (Макс. Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Сигнал көзіне кернеу (Vdss)
- 60V
- Толық сипаттамасы
- N-Channel 60V 350mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
- Ағымдағы - Үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C
- 350mA (Tc)
Ұқсас өнімдер
- STMicroelectronics 2N7000
- 2N7000 деректер парағы
- 2N7000 деректер кестесі
- 2N7000 pdf деректер кестесі
- 2N7000 деректер кестесін жүктеңіз
- 2N7000 кескіні
- 2N7000 бөлігі
- ST 2N7000
- STMicroelectronics 2N7000