Үй > Өнімдер > Дискретті жартылай өткізгіш өнімдері > Транзисторлар - FETs, MOSFETs - Single > STP25N60M2-EP
STP25N60M2-EP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB
Қорғауға жарамсыз / RoHS сәйкес келеді
Баға мен қорғасын уақытын сұраңыз
STP25N60M2-EP қол жетімді, біз STP25N60M2-EP жеткізе аламыз, сұраныстың дәйексөз формасын пайдаланып, STP25N60M2-EP пирингін сұраймыз және уақытты жеткіземіз.Atosn.com кәсіби электронды компоненттердің дистрибьюторы. Бізде үлкен тауарлық-материалдық құндылықтар бар және тез жеткізе аламыз, бүгін бізбен хабарласыңыз, сату өкілі сізге баға мен жеткізілім бөлшектерін # STP25N60M2-EP бөлімінде ұсынады. Сіздің елге сәйкес келетін кедендік рәсімдеу мәселелерін қосыңыз, бізде кәсіби сату тобы баржәне техникалық топ, біз сіздермен жұмыс істеуге асығамыз.
Баға ұсыныстарын сұрау
Өнім параметрлері
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.75V @ 250µA
- Vgs (Макс)
- ±25V
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Жеткізуші құрылғысының бумасы
- TO-220
- Серия
- MDmesh™ M2-EP
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 188 mOhm @ 9A, 10V
- Қуатты ажырату (макс.)
- 150W (Tc)
- Қаптама
- Tube
- Пакет / корпус
- TO-220-3
- Басқа атаулар
- 497-15892-5
- Жұмыс температурасы
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Түрін орнату
- Through Hole
- Ылғал сезімталдығының деңгейі (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Өндіруші стандартты жеткізу уақыты
- 42 Weeks
- Бос мәртебесі / RoHS мәртебесі
- Lead free / RoHS Compliant
- Кіру сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds
- 1090pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 29nC @ 10V
- FET түрі
- N-Channel
- FET функциясы
- -
- Жетек кернеуі (Макс. Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Сигнал көзіне кернеу (Vdss)
- 600V
- Толық сипаттамасы
- N-Channel 600V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
- Ағымдағы - Үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C
- 18A (Tc)
Ұқсас өнімдер
- STMicroelectronics STP25N60M2-EP
- STP25N60M2-EP деректер парағы
- STP25N60M2-EP деректер кестесі
- STP25N60M2-EP pdf деректер кестесі
- STP25N60M2-EP деректер кестесін жүктеңіз
- STP25N60M2-EP кескіні
- STP25N60M2-EP бөлігі
- ST STP25N60M2-EP
- STMicroelectronics STP25N60M2-EP