Үй > Өнімдер > Дискретті жартылай өткізгіш өнімдері > Транзисторлар - FETs, MOSFETs - Single > STP10NM60N
STP10NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Қорғауға жарамсыз / RoHS сәйкес келеді
Баға мен қорғасын уақытын сұраңыз
STP10NM60N қол жетімді, біз STP10NM60N жеткізе аламыз, сұраныстың дәйексөз формасын пайдаланып, STP10NM60N пирингін сұраймыз және уақытты жеткіземіз.Atosn.com кәсіби электронды компоненттердің дистрибьюторы. Бізде үлкен тауарлық-материалдық құндылықтар бар және тез жеткізе аламыз, бүгін бізбен хабарласыңыз, сату өкілі сізге баға мен жеткізілім бөлшектерін # STP10NM60N бөлімінде ұсынады. Сіздің елге сәйкес келетін кедендік рәсімдеу мәселелерін қосыңыз, бізде кәсіби сату тобы баржәне техникалық топ, біз сіздермен жұмыс істеуге асығамыз.
Баға ұсыныстарын сұрау
Өнім параметрлері
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Макс)
- ±25V
- Технология
- MOSFET (Metal Oxide)
- Жеткізуші құрылғысының бумасы
- TO-220AB
- Серия
- MDmesh™ II
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 550 mOhm @ 4A, 10V
- Қуатты ажырату (макс.)
- 70W (Tc)
- Қаптама
- Tube
- Пакет / корпус
- TO-220-3
- Басқа атаулар
- 497-9098-5
- Жұмыс температурасы
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Түрін орнату
- Through Hole
- Ылғал сезімталдығының деңгейі (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Өндіруші стандартты жеткізу уақыты
- 42 Weeks
- Бос мәртебесі / RoHS мәртебесі
- Lead free / RoHS Compliant
- Кіру сыйымдылығы (Ciss) (Max) @ Vds
- 540pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 19nC @ 10V
- FET түрі
- N-Channel
- FET функциясы
- -
- Жетек кернеуі (Макс. Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Сигнал көзіне кернеу (Vdss)
- 600V
- Толық сипаттамасы
- N-Channel 600V 10A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB
- Ағымдағы - Үздіксіз ағызу (Id) @ 25 ° C
- 10A (Tc)
Ұқсас өнімдер
- STMicroelectronics STP10NM60N
- STP10NM60N деректер парағы
- STP10NM60N деректер кестесі
- STP10NM60N pdf деректер кестесі
- STP10NM60N деректер кестесін жүктеңіз
- STP10NM60N кескіні
- STP10NM60N бөлігі
- ST STP10NM60N
- STMicroelectronics STP10NM60N